徐明升-银河平台
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徐明升
2017-12-22 15:32   审核人:

徐明升,山东烟台人;银河平台副研究员,教学科研岗,硕士生导师, IEEE member;入选山东大学“青年学者未来计划”;主要从事宽禁带半导体材料生长和光电器件制备工作,第一/通讯作者发表SCI/EI收录论文十余篇,授权专利十余项,主持国家自然科学基金、博士后基金面上和特别资助等多项科研项目。

个人网站:http://faculty.sdu.edu.cn/xumingsheng/zh_CN/index.htm

联系方式:

通信地址:山大南路27号山东大学中心校区知新楼C座813

邮政编码:250100

联系电话:0531-88363606

电子邮箱:xums@sdu.edu.cn

教育经历:

2009年9 月- 2014年6月,山东大学,材料物理与化学,博士,导师:徐现刚;

2005年9月 - 2009年6月,山东大学,物理学,学士;

工作经历:

2014年10月 – 2017年6月,华南理工大学,物理与光电学院,博士后/助理研究员

2017年7月-至今,山东大学, 微电子学院,纳电子研究中心,副研究员

《热学》

宽禁带半导体材料(氮化镓、氧化镓等)生长和光电器件制备

[1] InGaN/GaN多量子阱绿光LED内量子效率及响应频率研究, 国家自然科学基金青年基金;

[2] 氧化镓基高耐压场效应晶体管技术研究, 山东大学基本科研业务费;

[3] 集成放大器的氮化镓基发光二极管频率和效率特性研究,博士后基金特别资助;

[4] 高频高效氮化镓基LED光电特性研究,博士后基金面上资助。

[1] Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018.10.23, 39(11)1696~1699.

[2] Quantum Efficiency Enhancement of a GaN-Based Green Light-Emitting Diode by a Graded Indium Composition p-Type InGaN Layer, Nanomaterials, 2018.07, 8(7).

[3] Effects of spectral parameters on the light properties of red-green-blue white light-emitting diodes, Applied Optics, 2016.06.1, 55(16)4456~4460.

[4] Temperature dependent current-voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode, Materials Express, 2016.04, 6(2)205~209.

[5] Efficiency enhancement of GaN-based green light-emitting diode with PN-doped quantum barriers, Materials Express, 2016.12, 6(6)533~537.

[6] Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes, Opto-Electronics Review, 2016.2, 24(1)1~9.

[7] Improved efficiency of near-ultraviolet LEDs using a novel p-type AlGaN hole injection layer, Superlattices and Microstructures,2016.6, 9425~29.

授权专利

[1] 一种GaN基发光二极管结构及其制备方法,ZL201310074695.3,授权日期:2017-02-08

[2] 一种白光LED的生长方法及利用该生长方法制备的白光LEDZL201310214341.4, 授权日期:2017-11-17

[3] 一种半导体发光二极管芯片及其制作方法, ZL201310476571.8,授权日期:2017-05-17

[4] 一种GaN基薄膜晶体管结构,ZL201520936303.4,授权日期:2016-08-03

[5] 一种GaN基倒装HEMT器件结构,ZL 201520638072.9,授权日期:2016-01-06

[6] 一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构,ZL 201620528439.6,授权日期:2017-02-22

[7] 一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构,ZL 201621088684.6,授权日期:2017-05-31


研究生招生

课题组每年招收学术学位和专业学位硕士生共2~3名。欢迎具有微电子、信息、物理、材料等专业背景的同学报考。




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