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冀子武
2016-06-15 10:22   审核人:

冀子武,男,教授,博士生导师。

教育经历:

山东大学物理系,学士; (日本国立)千葉大学物理系,理学博士。

主要留学、科研经历:

1996年初至2007年末近12的时间里长期在日本留学、工作。期间先后任(国立)千叶大学博士研究生、日本国家产业技术综合研究所共同研究员、(国立)東京大学博士后研究员。2007年末作为山东大学杰出人才从东京大学受聘回国,先后任物理学院、微电子学院教授,博士生导师。现为東京大学共同研究员,民政部批准、团中央指导的在海内外有较高影响力和知名度的国家高级别学术组织《中国青年科技工作者协会》会员,日本物理学会会员,在日中国学者材料学会会员等。美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》等多种国际重要学术期刊的评审专家。国家自然科学基金、山东省自然科学基金、科技部及教育部科研基金、高校博士论文等评审专家

本科课程:普通物理等

硕士研究生课程:超晶格材料与器件等

博士研究生课程;低维材料与器件,半导体光电子学等。

主要研究低维(纳米)半导体的光电特性,包括电/光转换材料(GaNInGaNZnOZnTeZnSe等)和器件(发光二极管LED、激光二极管LD、紫外探测器、HEMT)的制备、光电性能及转换效率等,是深受高校、研究所及企业欢迎的热门专业。与美国的佛罗里达国际大学,日本的東京大学、千葉大学、佐贺大学,以及国内其他知名院校和研究所等保持着密切的研究合作。

研究生招生:每年招收硕士、博士各1-2名。博士招生也可通过“申请-考核”方式进行录取。

2007年末受聘回国后主持的国家项目如下:

1. 主持国家自然科学基金项目:《ZnSe/BeTe II型量子结构中I 型跃迁、II 型跃迁的物理机制及二者的相互关联》;项目编号:10844003;研究期限:2008.01—2008.12。项目负责人。

2. 主持国家自然科学基金项目:《调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源》;项目编号:10874101;研究期限:2009.01—2011.12。项目负责人。

3. 主持教育部留学回国人员启动基金项目:《调制n型掺杂ZnSe/BeTe II 型量子阱的制作及激子复合体的跃迁特性研究》;研究期限:2009.01—2011.12。项目负责人。

4. 主持山东省自然科学基金项目:《ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子结构中的光学各向异性和激子复合体跃迁的研究》;项目编号:Y2008A10;研究期限:2008.12—2011.12。项目负责人。

5. 主持国家自然科学基金:《2009凝聚态与光物理学术研讨会》;项目编号:10981260461;研究期限:2009.12—2009.12。项目负责人。

6. 承担国家973项目(国家重点基础研究发展计划项目):《金属/介质纳米异质结构中的局域耦合效应及其在光电转换器件中的应用》;项目编号:2009CB930503;研究期限:2009.01—2013.12。主要学术骨干、子项目负责人。

7. 主持教育部高等学校博士学科点(博导类)专项科研基金项目:《ZnTeI型和II型量子阱结构的制备和光学特性研究》;项目编号: 20120131110006;研究期限:2013.01—2015.12。项目负责人。

8. 主持山东省科技厅科技发展计划项目:《具有纳米孔(柱)阵列的LED结构的制备及量子效率的研究》;项目编号:2013GGX10221;研究期限:2013.01—2015.12。项目负责人。

9. 主持国家重点实验室项目:《基于光谱的GaN基异质结材料与器件缺陷表征研究》;项目编号:F1406040;研究期限:2014.01—2016.12。项目负责人。

10. 主持教育部重点实验室项目:《InGaN/GaN基蓝绿LED结构中类量子点的形成与复合发光机制》;项目编号:JG1401;研究期限:2014.01—2016.12项目负责人。

11. 主持国家自然科学基金重大研究计划项目:《利用纳米孔(柱)阵列同时提高LED内、外量子效率的研究》;项目编号:91433112;研究期限:2015.01—2017.12。项目负责人。

12. 主持国家自然科学基金项目:《基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究》;项目编号:51672163;研究期限:2017.01—2020.12。在研。项目负责人。

13. 主持国家自然科学基金项目:《发光均匀、低热堆积的高性能InGaN基绿光LD的研究》;项目编号:51872167;研究期限:2019.01—2022.12项目负责人。

近年来作为第一作者或通讯作者的SCI代表性论文如下:

  1. H. N. Wang, Z. W. Ji*, S. Qu, G. Wang, Y. Z. Jiang, B. L. Liu, X. G. Xu, and H. Mino, "Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells", Opt. Express 20, 3932–3940 (2012).

  2. S. L. Huang, Z. W. Ji*, M. W. Zhao, L. Zhang, H. Y. Guo, B. L. Liu, X. G. Xu, and Q. X. Guo, "Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE", Phys. Status Solidi A 209, 2041-2044 (2012).

  3. S. L. Huang, Z. W. Ji*, L. Zhang, M. S. Xu, S. Qu, X. G. Xu, and Q. X. Guo, "Effect of reactor pressure upon photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layer", Optoelectron. Adv. Mater. – Rapid Commun. 7, 730-733 (2013).

  4. H. Sun, Z. W. Ji*, H. N. Wang, H. D. Xiao, S. Qu, X. G. Xu, A. Z. Jin, and H. F. Yang, "Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells", J. Appl. Phys. 114, 093508 (2013).

  5. L. Zhang, Z. W. Ji*, S. L. Huang, H. N. Wang, H. D. Xiao, Y. J. Zheng, X. G. Xu, Y. Lu, and Q. X. Guo, "Effect of substrate temperature on optical properties and strain distribution of ZnTe epilayer on (100) GaAs substrates", Thin Solid Films 536, 240-243 (2013).

  6. F. Wang, Z. W. Ji*, Q. Wang, X. S. Wang, S. Qu, X. G. Xu, Y. J. Lv, and Z. H. Feng, "Green and blue emissions in phase-separated InGaN quantum wells", J. Appl. Phys. 114, 163525 (2013).

  7. H. N. Wang, Z. W. Ji*, H. D. Xiao, M. Q. Wang, S. Qu, Y. Shen, and X. G. Xu, "Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells", Physica E 59, 56-59 (2014).

  8. Q. Wang, Z. W. Ji*, H. D. Xiao, H. Y. Lv, J. F. Li, X. G. Xu, Y. J. Lv, and Z. H. Feng, "Photoluminescence of Nanoporous GaN Films Prepared by Electrochemical Etching", Chin. Phys. Lett. 31, 088103 (2014).

  9. X. S. Wang, Z. W. Ji*, H. N. Wang, M. S. Xu, X. G. Xu, Y. J. Lü, and Z. H. Feng, "Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well", Acta. Phys. Sin-Ch. Ed.63, 127801 (2014).

  10. Q. Wang, Z. W. Ji*, F. Wang, Q. Mu, Y. J. Zheng, X. G. Xu, Y. J. Lü, and Z. H. Feng, "Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells", Chin. Phys. B 24, 024219 (2015).

  11.  Q. Wang, C. R. Zhu, Y. F. Zhou, X. S. Wang, B. L. Liu, X. L. Wang, Y. J. Lv, Z. H. Feng, X. G. Xu, and Z. W. Ji*, "Fabrication and photoluminescence of strong phase-separated InGaN based nanopillar LEDs", Superlattices Microstruct. 88, 323–329 (2015).

  12. H. Y. Lü, Q. Mu, L. Zhang, Y. J. Lü, Z. W. Ji*, Z. H. Feng, X. G. Xu, and Q. X. Guo, "Photoluminescence characteristics of ZnTe bulk crystal and ZnTe epilayer grown on GaAs substrate by MOVPE", Chin. Phys. B 24, 124207 (2015).

  13. H. Y. Lü, Y. J. Lü, Q. Wang, J. F. Li, Z. H. Feng, X. G. Xu, and Z. W. Ji*, "Influence of excitation power on temperature-dependent photoluminescence of phase-separated InGaN quantum wells", Chin. Opt. Lett. 14, 042302-042306 (2016).

  14. Q. Mu, M. S. Xu, X. S. Wang, Q. Wang, Y. J. Lv, Z. H. Feng, X. G. Xu, and Z. W. Ji*, "Influence of the InGaN/GaN quasi-superlattice underlying layer on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells", Physica E 76, 1–5 (2016).

  15. M. S. Xu, Q. Mu, L. F. Xiao, Q. B. Zhou, H. Wang, Z. W. Ji*, and X. G. Xu, "Temperature dependent current–voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode", Mater. Express 6, 205-209 (2016).

  16. J. F. Li, C. F. Li, Q. Mu, Z. W. Ji*, Y. J. Lv, Z. H. Feng, X. G. Xu, and M. S. Xu*, "Influence of low temperature p-GaN layer on the optical properties of a GaN-based blue light-emitting diodes", Mater. Express 6, 527-532 (2016).

  17. J. F. Li, Y. J. Lv, S. L. Huang, Z. W. Ji*, Z. Y. Pang, and X. G. Xu, "Influence of AlN barrier thickness on AlN/GaN heterostructure optical and transport properties", Optoelectron. Adv. Mater. – Rapid Commun. 11, 184-188 (2017).

  18. Q. Wang*, Z. W. Ji*, Y. F. Zhou, X. L. Wang, B. L. Liu, X. G. Xu, X. G. Gao, and J. C. Leng, "Diameter-dependent photoluminescence properties of strong phase-separated dual-wavelength InGaN/GaN nanopillar LEDs", Appl. Surf. Sci. 410, 196–200 (2017).

  19. J. F. Li, Y. J. Lv, C. F. Li, Z. W. Ji*, Z. Y. Pang, X. G. Xu, and M. S. Xu, "Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs", Chin. Phys. B 26, 098504 (2017).

  20. J. F. Li, C. F. Li, M. S. Xu, Z. W. Ji*, K. J. Shi, X. L. Xu, H. B. Li, and X. G. Xu, "“W-shaped” injection current dependence of electroluminescence linewidth in green InGaN/GaN-based LED grown on silicon substrate", Opt. Express 25, A871-A879 (2017).

  21. C. F. Li, Z. W. Ji*, J. F. Li, M. S. Xu, H. D. Xiao, and X. G. Xu, "Electroluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs with different indium contents and different well widths", Sci. Rep. 7, 15301 (2017).

  22. H. Y. Lv, C. F. Li, J. F. Li, M. S. Xu, Z. W. Ji*, K. J. Shi, X. L. Xu, H. B. Li, and X. G. Xu, "Combined effect of the indium content and well width on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs", Mater. Express 7, 523-528 (2017).

  23. X. L. Xu, Q. Wang, J. F. Li, Z. W. Ji*, M. S. Xu, H. F. Yang, and X. G. Xu,” Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars”, J. Lumin. 203, 216-221 (2018).

  24. X. L. Xu, Q. Wang, J. F. Li, Z. W. Ji*, M. S. Xu, H. F. Yang, and X. G. Xu,” Enhanced localisation effect and reduced quantum-confined Stark effect of carriers in InGaN/GaN multiple quantum wells embedded in nanopillars”, J. Lumin. 203, 216-221 (2018).

    2012年以前的成果:

  25. Ji Zi-Wu*, Zheng Yu-Jun, and Xu Xian-Gang, “Optical properties of exciton and charged exciton in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells under high magnetic fields”. Acta. Phys. Sin-Ch. Ed. 60, 047805 (2011).

  26. Z. W. Ji*, Y.J. Zheng, and X. G. Xu. “Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells”. Chin. Phys. B 19, 117303(2010).

  27. Ji Zi-Wu*, Zheng Yu-Jun, Xu Xian-Gang, and Lu Yun, “Interface structure effects on optical property of undoped ZnSe/BeTe type-ΙΙ quantum wells”. Acta. Phys. Sin-Ch. Ed. 59, 7986 (2010).

  28. Z. W. Ji*, H. Mino, K. Oto, K. Muro, and R. Akimoto. “Type-I interband transition in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells under high excitation density”. Semicond. Sci. Technol. 24, 095016 (2009).

  29. Ji Zi-Wu*, Lu, Yun, Chen Jin-Xiang, Mino Hirofumi, Akimoto Ryoichi, and Takeyama Shojiro “Built-in electric field and a new type of charged excitons observed in modulation-doped ZnSe/BeTe type- II quantum well”, Acta. Phys. Sin-Ch. Ed. 57, 1214-06 (2008).

  30. Ji Zi-Wu*, Mino Hirofumi, Oto Kenichi, Muro Kiyofumi, Akimoto Ryoichi, and Takeyama Shojiro, "Magnetic field effect of charged excitons in n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells" , Acta. Phys. Sin-Ch. Ed. 57, 6609-05 (2008).

  31. Ji Zi-Wu*, Mino Hirofumi, Kojima Eiji, Akimoto Ryoichi, and Takeyama Shojiro "Optical property of modulated n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells" , Acta. Phys. Sin-Ch. Ed. 57, 3260-07 (2008).

  32. Z. W. Ji*, S. Takeyama, H. Mino, K. Oto, K. Muro, and R. Akimoto. “Spatially direct charged exciton photoluminescence in undoped ZnSe/BeTe type-II quantum wells”. Appl. Phys. Lett. 92, 093107(2008).

  33. Z. W. Ji*, H. Mino, K. Oto, R. Akimoto, and S. Takeyam. “Electric- and magnetic- field effects on the radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells”. Semicond. Sci. Technol. 21, 87(2006).

  34. Z. W. Ji*, H. Yamamoto, H. Mino, R. Akimoto, and S. Takeyama. “Spin dependent transitions of charged excitons in type-II quantum wells”. Physica E 22, 632(2004).6. 

  35. Ziwu Ji*, Y. Enya, H. Mino, K. Oto, K. Muro, R. Akimoto, and S. Takeyama. “Optical de Haas oscillations of charged excitons in type-II ZnSe/BeTe quantum wells”.  J. Phys.: Conf. Ser., 51 (2006) 427-430.


作为第一作者授权的国家发明专利:

1. 用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0020717.1;授权日期 20100908; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,李炳生,徐现刚

2. 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0020719.0;授权日期 20110113; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,徐现刚

3. 消除ZnSe/BeTe II型量子阱中内秉电场的方法;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0230077.7授权日期 201295; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,徐现刚。

《中国青年科技工作者协会》会员

通信地址:山东省 济南市 山大南路27 光电材料与器件研究所

邮政编码:250100

联系电话:0531-883643298205

电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn

研究生招生:每年招收硕士、博士各1-2名。博士招生也可通过“申请-考核”方式进行录取。

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